文献
J-GLOBAL ID:200902070538285560
整理番号:89A0477152
シリコン上の無電解めっき膜中のけい化ニッケル形成 Ni3Si2の低温成長,形態と電気抵抗
Nickel silicide formation in electroless plated films on silicon: Low temperature growth of Ni3Si2, morphology and electrical resistance.
著者 (3件):
NAYAK B B
(Regional Research Lab., Bhubaneswar, IND)
,
SINGH S K
(Regional Research Lab., Bhubaneswar, IND)
,
ACHARYA B S
(Regional Research Lab., Bhubaneswar, IND)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
171
号:
2
ページ:
277-290
発行年:
1989年04月15日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)