文献
J-GLOBAL ID:200902070981008839
整理番号:86A0323320
2個の電子サブバンドまで電子分布したIn0.53Ga0.47As-InPヘテロ接合における量子Hall効果
Quantum Hall effect in In0.53Ga0.47As-InP heterojunctions with two populated electric subbands.
著者 (7件):
GULDNER Y
(Lab. Microstructures et Micro<span style=text-decoration:overline>e ́</span>lectronique, Paris, France)
,
VIEREN J P
(Ecole Normale Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieure, Paris)
,
VOOS M
(Ecole Normale Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieure, Paris)
,
DELAHAYE F
(Lab. Central des Industries Electriques, France)
,
DOMINGUEZ D
(Lab. Central des Industries Electriques, France)
,
HIRTZ J P
(Thomson-CSF, France)
,
RAZEGHI M
(Thomson-CSF, France)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
33
号:
6
ページ:
3990-3993
発行年:
1986年03月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)