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文献
J-GLOBAL ID:200902070981008839   整理番号:86A0323320

2個の電子サブバンドまで電子分布したIn0.53Ga0.47As-InPヘテロ接合における量子Hall効果

Quantum Hall effect in In0.53Ga0.47As-InP heterojunctions with two populated electric subbands.
著者 (7件):
GULDNER Y
(Lab. Microstructures et Micro<span style=text-decoration:overline>e ́</span>lectronique, Paris, France)
VIEREN J P
(Ecole Normale Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieure, Paris)
VOOS M
(Ecole Normale Sup<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rieure, Paris)
DELAHAYE F
(Lab. Central des Industries Electriques, France)
DOMINGUEZ D
(Lab. Central des Industries Electriques, France)
HIRTZ J P
(Thomson-CSF, France)
RAZEGHI M
(Thomson-CSF, France)

資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

巻: 33  号:ページ: 3990-3993  発行年: 1986年03月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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