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文献
J-GLOBAL ID：200902071852014071
整理番号：90A0639560
p+多結晶シリコンゲート型PMOSデバイスへのほう素浸透効効果
The effects of boron penetration on p+ polysilicon gated PMOS devices.
PFIESTER J R
(Motorola Inc., TX)
,
BAKER F K
(Motorola Inc., TX)
,
MELE T C
(Motorola Inc., TX)
,
TSENG H-H
(Motorola Inc., TX)
,
TOBIN P
(Motorola Inc., TX)
,
HAYDEN J D
(Motorola Inc., TX)
,
MILLER J W
(Motorola Inc., TX)
,
GUNDERSON C D
(Motorola Inc., TX)
,
PARRILLO L C
(Motorola Inc., TX)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 37 号： 8 ページ： 1842-1851 発行年： 1990年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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