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文献
J-GLOBAL ID：200902071865014828
整理番号：86A0544741
オプトエレクトロニクス用の非ドープSI GaAs単結晶のLEC法による育成
LEC growth of undoped SI GaAs single crystals for opto-electronic application.
OKADA H
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
KATSUMATA T
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
OBOKATA T
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
FUKUDA T
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
SUSAKI W
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 75 号： 2 ページ： 319-322 発行年： 1986年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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