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文献
J-GLOBAL ID：200902072301356121
整理番号：84A0495549
Snを多量にドープしたIn2O3におけるバンドギャップの広がり
Band-gap widening in heavily Sn-doped In2O3.
HAMBERG I
(Chalmers Univ. Technology, Sweden)
,
GRANQVIST C G
(Chalmers Univ. Technology, Sweden)
,
BERGGREN K-F
(Linkoeping Univ., Sweden)
,
SERNELIUS B E
(Linkoeping Univ., Sweden)
,
ENGSTROEM L
(Linkoeping Univ., Sweden)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 30 号： 6 ページ： 3240-3249 発行年： 1984年09月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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