文献
J-GLOBAL ID:200902072420158427
整理番号:91A0537886
極薄純酸化および窒化酸化ゲート膜におけるほう素浸透とその限界の効果
Effects of boron penetration and resultant limitations in ultra thin pure-oxide and nitrided-oxide gate-films.
著者 (5件):
MORIMOTO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SASAKI MOMOSE H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OZAWA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMABE K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1990
ページ:
429-432
発行年:
1990年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)