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文献
J-GLOBAL ID：200902072443593104
整理番号：87A0013334
電荷注入応力下のSiO2におけるトラップの発生と占有のダイナミックス
Trap generation and occupation dynamics in SiO2 under charge injection stress.
NISSAN-COHEN Y
(General Electric Co., NY, USA)
,
SHAPPIR J
(Hebrew Univ. Jerusalem, Jerusalem, ISR)
,
FROHMAN-BENTCHKOWSKY D
(Hebrew Univ. Jerusalem, Jerusalem, ISR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 60 号： 6 ページ： 2024-2035 発行年： 1986年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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