文献
J-GLOBAL ID:200902072879015041
整理番号:88A0205949
正けい酸テトラエチルの熱分解による高晶質SiO2膜の低温成長
Low-pressure deposition of high-quality SiO2 films by pyrolysis of tetraethylorthosilicate.
著者 (4件):
BECKER F S
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
PAWLIK D
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
ANZINGER H
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
SPITZER A
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
5
号:
6
ページ:
1555-1563
発行年:
1987年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)