文献
J-GLOBAL ID:200902072924029458
整理番号:89A0556293
高電力エレクトロニクス用最適半導体
Optimum semiconductors for high-power electronics.
著者 (3件):
SHENAI K
(General Electric Corporate Research and Development Center, NY)
,
SCOTT R S
(General Electric Corporate Research and Development Center, NY)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
36
号:
9 Pt.1
ページ:
1811-1823
発行年:
1989年09月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)