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文献
J-GLOBAL ID：200902072974448273
整理番号：91A0392592
水素プラズマで清浄化したシリコン表面の性質
Properties of silicon surface cleaned by hydrogen plasma.
ISHII M
(Toyota Central Reseach&Development Lab. Inc., Aichi-ken, JPN)
,
NAKASHIMA K
(Toyota Central Reseach&Development Lab. Inc., Aichi-ken, JPN)
,
TAJIMA I
(Toyota Central Reseach&Development Lab. Inc., Aichi-ken, JPN)
,
YAMAMOTO M
(Toyota Central Reseach&Development Lab. Inc., Aichi-ken, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 58 号： 13 ページ： 1378-1380 発行年： 1991年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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