文献
J-GLOBAL ID:200902073390856899
整理番号:89A0023178
DRAMセルの活性化エネルギーとリーク(暗)電流成分
Activation energy and leak current component of MOS-DRAM cell.
著者 (2件):
山田隆博
(松下電器産業 中研)
,
寺川澄雄
(松下電子工業 京都研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
88
号:
118
ページ:
19-25(ED88-51)
発行年:
1988年07月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)