文献
J-GLOBAL ID:200902073588874795
整理番号:87A0275849
照射硬化したJFETデバイスおよびSOI薄膜内で作製したCMOS回路
Radiation-hardened JFET devices and CMOS circuits fabricated in SOI films.
著者 (9件):
TSAUR B-Y
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
SFERRINO V J
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
CHOI H K
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
CHEN C K
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
MOUNTAIN R W
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
SCHOTT J T
(Rome Air Development Center, MA, USA)
,
SHEDD W M
(Rome Air Development Center, MA, USA)
,
LAPIERRE D C
(Rome Air Development Center, MA, USA)
,
BLANCHARD R
(Rome Air Development Center, MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
33
号:
6 Pt.1
ページ:
1372-1376
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)