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文献
J-GLOBAL ID：200902074864547376
整理番号：84A0314448
LEC法により成長させたシリコンをドープの無転位ひ化ガリウム
Dislocation-free silicon-doped gallium arsenide grown by LEC procedure.
FORNARI R
(Inst. MASPEC-CNR, Italy)
,
PAORICI C
(Inst. MASPEC-CNR, Italy)
,
ZANOTTI L
(Inst. MASPEC-CNR, Italy)
,
ZUCCALLI G
(Inst. MASPEC-CNR, Italy)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 63 号： 2 ページ： 415-418 発行年： 1983年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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