文献
J-GLOBAL ID:200902075784802908
整理番号:86A0417017
強くドープしたn型GaAsでのバンドギャップシフト
Band-gap shifts in heavily doped n-type GaAs.
著者 (1件):
SERNELIUS B E
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
33
号:
12 Pt 2
ページ:
8582-8586
発行年:
1986年06月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)