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文献
J-GLOBAL ID：200902076025660941
整理番号：89A0396346
MOSFET劣化の評価の電荷ポンピング効果の解析とその応用
Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation.
HEREMANS P
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
WITTERS J
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
GROESENEKEN G
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
MAES H E
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36 号： 7 ページ： 1318-1335 発行年： 1989年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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