文献
J-GLOBAL ID:200902076488397506
整理番号:92A0434217
InP/InGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造におけるZnの異常再分布
Abnormal redistribution of Zn in InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor structures.
著者 (3件):
KURISHIMA K
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI T
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
GOESELE U
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
60
号:
20
ページ:
2496-2498
発行年:
1992年05月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)