文献
J-GLOBAL ID:200902076521068858
整理番号:82A0421341
〈110〉暗線欠陥形成によるInGaAsP/InPダブルヘテロ構造レーザの急激な劣化
Rapid degradation of InGaAsP/InP double heterostructure lasers due to 〈110〉 dark line defect formation.
著者 (5件):
ENDO K
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
,
MATSUMOTO S
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
,
KAWANO H
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
,
SAKUMA I
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
,
KAMEJIMA T
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
40
号:
11
ページ:
921-923
発行年:
1982年06月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)