文献
J-GLOBAL ID:200902076563520580
整理番号:86A0384056
マグトロンイオンエッチングによるGaAsのマスクを使用した高速エッチング
High rate masked etching of GaAs by magnetron ion etching.
著者 (2件):
CONTOLINI R J
(Bell Communications Research, New Jersey)
,
D’ASARO L A
(AT&T, New Jersey)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
4
号:
3
ページ:
706-713
発行年:
1986年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)