文献
J-GLOBAL ID:200902076579503430
整理番号:89A0358299
清浄なSi(111)ステップ表面の昇華中の構造変化
Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation.
著者 (4件):
LATYSHEV A V
(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
ASEEV A L
(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
KRASILNIKOV A B
(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
STENIN S I
(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
213
号:
1
ページ:
157-169
発行年:
1989年04月
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)