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文献
J-GLOBAL ID：200902076625842644
整理番号：92A0108057
低温の分子ビームエピタクシーで成長させたGaAsにおけるピコ秒以下のキャリア寿命
Subpicosecond carrier lifetime in GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures.
GUPTA S
(Univ. Michigan, Michigan)
,
FRANKEL M Y
(Univ. Michigan, Michigan)
,
VALDMANIS J A
(Univ. Michigan, Michigan)
,
WHITAKER J F
(Univ. Michigan, Michigan)
,
MOUROU G A
(Univ. Michigan, Michigan)
,
SMITH F W
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
CALAWA A R
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 59 号： 25 ページ： 3276-3278 発行年： 1991年12月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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