文献
J-GLOBAL ID:200902077364142379
整理番号:89A0616529
ビット並列構造の16kb強透電性不揮発メモリ
A 16kb ferroelectric nonvolatile memory with a bit parallel architecture.
著者 (2件):
WOMACK R
(Krysalis Microelectronics, NM)
,
TOLSCH D
(Signetics Corp., NM)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
32
ページ:
242-243,351
発行年:
1989年02月
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)