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文献
J-GLOBAL ID：200902077719030623
整理番号：91A0096150
ニッケルを注入した非晶質シリコン薄膜におけるシリサイドの析出とシリコンの結晶化
Silicide precipitation and silicon crystallization in nickel implanted amorphous silicon thin films.
CAMMARATA R C
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
THOMPSON C V
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
HAYZELDEN C
(Harvard Univ., Massachusetts)
,
TU K N
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
資料名：
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻： 5 号： 10 ページ： 2133-2138 発行年： 1990年10月
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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