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文献
J-GLOBAL ID：200902077748520761
整理番号：88A0218133
抵抗素子の半導性BaTiO3の正温度係数の特性におよぼすアニールの効果
The effect of annealing on the characteristics of semiconducting BaTiO3 positive temperature coefficient of resistance devices.
AL-ALLAK H M
(Univ. Durham, Durham, GBR)
,
RUSSELL G J
(Univ. Durham, Durham, GBR)
,
WOODS J
(Univ. Durham, Durham, GBR)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 20 号： 12 ページ： 1645-1651 発行年： 1987年12月14日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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