文献
J-GLOBAL ID:200902078380423597
整理番号:86A0244013
選択的横方向拡大形保護環付きプレーナInP/InGaAsアバランシェフォトダイオード
Planar InP/InGaAs avalanche photodiodes with preferential lateral extended guard ring.
著者 (7件):
TAGUCHI K
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
,
TORIKAI T
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
,
SUGIMOTO Y
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
,
MAKITA K
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
,
ISHIHARA H
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
,
FUJITA S
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
,
MINEMURA K
(NEC Corp., Kawasaki-shi)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
7
号:
4
ページ:
257-258
発行年:
1986年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)