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文献
J-GLOBAL ID：200902078517076695
整理番号：93A0028649
MOVPE法で成長させたGaドープCdTeの電子特性
Electronic properties in Ga-doped CdTe layers grown by metaloganic vapor phase epitaxy.
EKAWA M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
YASUDA K
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
FERID T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
SAJI M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
TANAKA A
(Sumitomo Metal Mining Co. Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 72 号： 8 ページ： 3406-3409 発行年： 1992年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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