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文献
J-GLOBAL ID：200902078774710370
整理番号：87A0011587
SOI MOSFETにおける水素不動態化微粒子多結晶シリコンの漏れ電流機構
Leakage current mechanisms in hydrogen-passivated fine-grain polycrystalline silicon on insulator MOSFET’s.
MADAN S K
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
ANTONIADIS D A
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 33 号： 10 ページ： 1518-1528 発行年： 1986年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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