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文献
J-GLOBAL ID：200902079127825847
整理番号：91A0450247
シリコン上の電子ビーム蒸着酸化イットリウム薄膜の電気的挙動
Electrical behaviour of electron-beam-evaporated yttrium oxide thin films on silicon.
SHARMA R N
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
LAKSHMIKUMAR S T
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
RASTOGI A C
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 199 号： 1 ページ： 1-8 発行年： 1991年04月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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