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文献
J-GLOBAL ID：200902079238267800
整理番号：86A0501334
GexS1-xひずみ入り超格子導波路型光検出器の1.3μm近傍での受光特性
GexSi1-x strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3 μm.
TEMKIN H
(AT&T, New Jersey)
,
PEARSALL T P
(AT&T, New Jersey)
,
BEAN J C
(AT&T, New Jersey)
,
LOGAN R A
(AT&T, New Jersey)
,
LURYI S
(AT&T, New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 48 号： 15 ページ： 963-965 発行年： 1986年04月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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