文献
J-GLOBAL ID:200902079499361715
整理番号:87A0153512
非晶質けい素/窒化けい素二重障壁構造を通しての共鳴トンネリング
Resonant tunneling through amorphous silicon/silicon nitride double barrier structures.
著者 (3件):
MIYAZAKI S
(Hiroshima Univ., Higashihiroshima, JPN)
,
IHARA Y
(Hiroshima Univ., Higashihiroshima, JPN)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Higashihiroshima, JPN)
資料名:
Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials
(Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials)
ページ:
675-678
発行年:
1986年
JST資料番号:
K19860706
ISBN:
4-930813-14-X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)