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文献
J-GLOBAL ID：200902079860912683
整理番号：92A0217051
サファイア上シリコンおよび絶縁体上シリコンの上のベータSiCの化学蒸着
Chemical vapor deposition of β-SiC on silicon-on-sapphire and silicon-on-insulator substrates.
PAZIK J C
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
KELNER G
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
BOTTKA N
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
FREITAS J A JR
(Sachs-Freeman Assoc., MD, USA)
資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology
(Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： 11 号： 1/4 ページ： 125-129 発行年： 1992年01月15日
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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