文献
J-GLOBAL ID:200902080616074666
整理番号:86A0438086
強力な1μm psパルス照射によって生成したシリコン中の構造変化
Structural changes produced in silicon by intense 1-μm ps pulses.
著者 (5件):
SMIRL A L
(Hughes Research Lab., California)
,
BOYD I W
(North Texas State Univ.)
,
BOGGESS T F
(North Texas State Univ.)
,
MOSS S C
(North Texas State Univ.)
,
VAN DRIEL H M
(Univ. Toronto, Canada)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
60
号:
3
ページ:
1169-1182
発行年:
1986年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)