文献
J-GLOBAL ID:200902080671092355
整理番号:87A0136541
マイクロ波インピーダンス測定にもとづく半絶縁性GaAsウエハの深い準位の非破壊的評価
Nondestructive characterization of deep levels in semi-insulating GaAs wafers using microwave impedance measurement.
著者 (3件):
FUJISAKI Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKANO Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
ISHIBA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
25
号:
11
ページ:
L874-L877
発行年:
1986年11月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)