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文献
J-GLOBAL ID：200902081035732618
整理番号：88A0067368
高周波MOS容量の効果的な数値シミュレーション
Efficient numerical simulation of the high-frequency MOS capacitance.
WATT J T
(Stanford Univ., CA, USA)
,
PLUMMER J D
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 34 号： 10 ページ： 2214-2216 発行年： 1987年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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