文献
J-GLOBAL ID:200902081160423813
整理番号:92A0825716
Mg2Si1-xGex(x=0.0~0.4))固溶半導体の作製と熱電特性
Preparation and Thermoelectric Properties of Mg2Si1-xGex(x=0.0~0.4) Solid Solution Semiconductors.
著者 (6件):
NODA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KON H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FURUKAWA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OTSUKA N
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
NISHIDA I A
(National Research Inst. Metals, Tokyo, JPN)
,
MASUMOTO K
(Ishinomaki Senshu Univ., Ishinomaki, JPN)
資料名:
Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals)
(Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals))
巻:
33
号:
9
ページ:
845-850
発行年:
1992年09月
JST資料番号:
G0668A
ISSN:
0916-1821
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)