文献
J-GLOBAL ID:200902081169714403
整理番号:91A0483504
再構成した清浄InAs(100)表面における固有電子蓄積層
Intrinsic electron accumulation layers on reconstructed clean InAs(100) surfaces.
著者 (3件):
NOGUCHI M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIRAKAWA K
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IKOMA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
66
号:
17
ページ:
2243-2246
発行年:
1991年04月29日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)