文献
J-GLOBAL ID:200902081276619154
整理番号:84A0126135
金属-a-Si:H Schottky障壁の容量電圧特性の理論的解釈
Theoretical interpretation of capacitance-voltage characteristics of metal-a-Si:H Schottky barriers.
著者 (3件):
SUZUKI T
(Hiroshima Inst. Technology)
,
OSAKA Y
(Hiroshima Univ.)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ.)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
22
号:
5
ページ:
785-788
発行年:
1983年05月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)