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文献
J-GLOBAL ID：200902081407439149
整理番号：90A0892503
電荷結合素子技術の進展 サブエレクトロン雑音と4096×4096画素のCCD
New advancements in charge-coupled device technology-sub-electron noise and 4096×4096 pixel CCDs.
JANESICK J
(Jet Propulsion Lab., CA)
,
ELLIOTT T
(Jet Propulsion Lab., CA)
,
DINGIZIAN A
(Jet Propulsion Lab., CA)
,
BREDTHAUER R
(Ford Aerospace Corp., CA)
,
CHANDLER C
(Ford Aerospace Corp., CA)
,
WESTPHAL J
(California Inst. Technology, CA)
,
GUNN J
(Princeton Univ., NJ)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 1242 ページ： 223-237 発行年： 1990年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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