文献
J-GLOBAL ID:200902081513256304
整理番号:87A0442622
大気圧反応器でMOCVD法によりエピタキシャル成長させたひ化インジウムガリウムの光学的,電気的および結晶学的特性への成長温度の影響
Effect of growth temperature on the optical, electrical and crystallographic properties of epitaxial indium gallium arsenide grown by MOCVD in an atmospheric pressure reactor.
著者 (7件):
BASS S J
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
,
BARNETT S J
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
,
BROWN G T
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
,
CHEW N G
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
,
CULLIS A G
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
,
PITT A D
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
,
SKOLNICK M S
(Royal Signals and Radar Establishment, Worcs., GBR)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
79
号:
1/3 Pt.1
ページ:
378-385
発行年:
1986年12月02日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)