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文献
J-GLOBAL ID：200902081546969292
整理番号：82A0408813
レーザクエンチングにより元素Si中に生じた欠陥性結晶と非晶質状態への転移
Transitions to defective crystal and the amorphous state induced in elemental Si by laser quenching.
CULLIS A G
(Royal Signals and Radar Establishment, England)
,
WEBBER H C
(Royal Signals and Radar Establishment, England)
,
CHEW N G
(Royal Signals and Radar Establishment, England)
,
POATE J M
(Bell Lab., New Jersey)
,
BAERI P
(Univ. Catania, Italy)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 49 号： 3 ページ： 219-222 発行年： 1982年07月19日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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