文献
J-GLOBAL ID:200902082422205207
整理番号:87A0056366
非晶質シリコンの移動度端近傍での低温電子輸送
Low-temperature electron transport near the mobility edge of amorphous silicon.
著者 (4件):
CLOUDE C
(Univ. Dundee, Dundee, GBR)
,
SPEAR W E
(Univ. Dundee, Dundee, GBR)
,
LE COMBER P G
(Univ. Dundee, Dundee, GBR)
,
HOURD A C
(Univ. Dundee, Dundee, GBR)
資料名:
Philosophical Magazine. B. Physics of Condensed Matter: Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties
(Philosophical Magazine. B. Physics of Condensed Matter: Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties)
巻:
54
号:
4
ページ:
L113-L118
発行年:
1986年10月
JST資料番号:
H0004B
ISSN:
1364-2812
CODEN:
PMABDJ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)