文献
J-GLOBAL ID:200902082704542397
整理番号:86A0421219
けい素反転層ナノ構造における普遍的導電率ゆらぎ
Universal conductance fluctuations in silicon inversion-layer nanostructures.
著者 (6件):
SKOCPOL W J
(AT&T, New Jersey)
,
MANKIEWICH P M
(AT&T, New Jersey)
,
HOWARD R E
(AT&T, New Jersey)
,
JACKEL L D
(AT&T, New Jersey)
,
TENNANT D M
(AT&T, New Jersey)
,
STONE A D
(State Univ. New York at Stony Brook)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
56
号:
26
ページ:
2865-2868
発行年:
1986年06月30日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)