文献
J-GLOBAL ID:200902083706918960
整理番号:87A0076081
半導体素子のバーンインに将来性はあるか
Semiconductor device burn-in, is there a future?
著者 (1件):
PARSONS R
(Test Reliability Ltd., Hants, GBR)
資料名:
Quality and Reliability Engineering International
(Quality and Reliability Engineering International)
巻:
2
号:
4
ページ:
255-257
発行年:
1986年10月
JST資料番号:
C0764C
ISSN:
0748-8017
CODEN:
QREIE5
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)