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文献
J-GLOBAL ID：200902084300289488
整理番号：89A0141699
界面にセシウムイオンを含むMOS構造における表面移動度の特性化
Characterization of surface mobility in MOS structures containing interfacial cesium ions.
WATT J T
(Stanford Univ., CA, USA)
,
FISHBEIN B J
(Stanford Univ., CA, USA)
,
PLUMMER J D
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36 号： 1 Pt.1 ページ： 96-100 発行年： 1989年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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