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文献
J-GLOBAL ID：200902084463902373
整理番号：92A0316999
分子線エピタクシーにより成長させたAlドープZnTeエピ層のフォーミング
Forming of Al-doped ZnTe epilayers grown by molecular beam epitaxy.
PHILLIPS M C
(California Inst. Technology, Califoria, USA)
,
SWENBERG J F
(California Inst. Technology, Califoria, USA)
,
LIU Y X
(California Inst. Technology, Califoria, USA)
,
WANG M W
(California Inst. Technology, Califoria, USA)
,
MCCALDIN J O
(California Inst. Technology, Califoria, USA)
,
MCGILL T C
(California Inst. Technology, Califoria, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 117 号： 1/4 ページ： 1050-1054 発行年： 1992年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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