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文献
J-GLOBAL ID：200902084655873245
整理番号：86A0501369
(Si2)x(GaAs)1-x障壁をもつGaAs量子井戸の高エネルギー誘導放出(ω≧EL,EX)
High-energy stimulated emission in GaAs quantum wells coupled with (Si2)x(GaAs)1-x barriers (ω≧EL,EX)
HSIEH K C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
KALISKI R W
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
HOLONYAK N JR
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
BURNHAM R D
(Xerox, California)
,
THORNTON R L
(Xerox, California)
,
PAOLI T L
(Xerox, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 48 号： 14 ページ： 943-945 発行年： 1986年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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