文献
J-GLOBAL ID:200902084733435462
整理番号:87A0394550
光化学蒸着により成長させる場合の水素化非晶質シリコン膜におけるシランの水素希釈の影響
Effect of hydrogen dilution of silane in hydrogenated amorphous silicon films prepared by photochemical vapor deposition.
著者 (2件):
KAMIMURA T
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
,
HIROSE M
(Toshiba Corp., Kawasaki-shi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
25
号:
12
ページ:
1778-1782
発行年:
1986年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)