文献
J-GLOBAL ID:200902085084595958
整理番号:86A0176198
TFEL素子の電流・電場特性と記憶機構
Current and field characteristics and memory mechanism of TFEL devices.
著者 (3件):
ONNAGAWA H
(Toyama Univ.)
,
SHIBATA M
(Toyama Univ.)
,
MIYASHITA K
(Toyama Univ.)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
25
号:
1
ページ:
12-16
発行年:
1986年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)