文献
J-GLOBAL ID:200902085202060916
整理番号:86A0489152
有機金属気相エピタキシーによるInxGa1-xAs基板でのZnSe膜の成長
Growth of ZnSe films on InxGa1-xAs substrate by metalorganic vapor phase epitaxy.
著者 (3件):
SHIBATA N
(Electrical Communications Lab., Tokai)
,
ZEMBUTSU S
(Electrical Communications Lab., Tokai)
,
MIYASHITA T
(Electrical Communications Lab., Tokai)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
25
号:
4
ページ:
L335-L337
発行年:
1986年04月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)