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文献
J-GLOBAL ID：200902085430115887
整理番号：89A0274934
ソーラセル用シリコンの低温表面不活性化
Low-temperature surface passivation of silicon for solar cells.
HEZEL R
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
JAEGER K
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 136 号： 2 ページ： 518-523 発行年： 1989年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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