文献
J-GLOBAL ID:200902085711032107
整理番号:87A0070728
ギャップの広いほう素ドープ微結晶窒素けい素
Wide-gap boron-doped microcrystalline silicon nitride.
著者 (3件):
HASEGAWA S
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SEGAWA M
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KURATA Y
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
49
号:
18
ページ:
1178-1180
発行年:
1986年11月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)